【IT168专稿】英特尔® 凌动™ 处理器 Z5xx 系列提供了各种设计方案，包括 2.0 或 2.2 瓦散热设计功率1(TDP)，两种封装尺寸，以及工业和商业温度范围。这些处理器基于 45 纳米英特尔® 架构，采用了突破性的电源管理技术，是散热受限以及无风扇嵌入式应用的理想之选。英特尔为这些处理器提供了嵌入式的生命周期支持，并可以与前代 32 位英特尔® 架构系列产品实现软件兼容。

　　这一系列单核处理器经过了搭配英特尔® 系统控制器US15W(英特尔® SCH US15W)的验证，该系统控制器提供两种不同的封装尺寸选择，将英特尔® 图形媒体加速器 500(英特尔® GMA 500)、内存控制器与 I/O 控制器集成到一个芯片之中。英特尔® SCH US15W 具备高级 3D 图形处理功能、硬件视频解码加速器、英特尔® 高清晰度音频2以及丰富的I/O接口，例如 USB 2.0、GPIO、PATA、LPC 与 PCI Express。*它还同时提供了工业以及商业温度范围选择。

　　这些双芯片平台解决方案可帮助开发人员设计出一系列具有不同尺寸和散热要求的嵌入式产品，例如车载信息娱乐系统、工业控制与自动化、游戏、医疗、媒体电话，以及零售和交易解决方案(即信息亭、POS终端)。

　　产品亮点

　　§ 处理器包括六个选择，在主频、前端总线(FSB)、TDP、封装尺寸、温度范围和对英特尔® 超线程技术3(英特尔® HT 技术)的支持方面有所差异。请参见表 2。

　　§ 相比前一代 65 纳米技术，英特尔的铪基 45 纳米 高k 金属栅极技术进一步降低了功耗，提高了切换速度，并显著提高了晶体管密度。

　　§ 每指令多个微操作融入一个微操作中并在一个周期内执行，从而进一步提升了性能，节省了功耗并提高了调度效率。

　　§ 顺序执行内核的功耗较低于乱序执行。

　　§ 超线程(HT)技术(部分指定型号支持)可进一步提高循序流水线(in-order pipeline)的性能功耗比，并显著增强多任务处理环境中的系统响应能力。一个执行内核被视为两枚逻辑处理器，而并行线程在具有共享资源的单个内核上执行。

　　§ 全新 C6 电源状态(深度节能技术)可降低处理器内核及高速缓存的功耗，从而比 C4 电源状态进一步减少了漏电量。该项技术对于操作系统是透明的，并符合现有的移动 C-state 退出延迟要求。

　　§ 分离 VTT 轨(Split VTT rail)可使 I/O 的功耗降低约 90%，从而进一步减少 C6 电源状态的漏电量，并大幅降低闲置功耗。

　　§ 将 CMOS 驱动用于多个前端总线(FSB)信号，从而进一步降低 I/O 功耗。

　　§ 通过动态调节二级高速缓存大小，可借助晶体管睡眠模式进一步减少漏电量。

　　§ SSE3 指令集支持软件在特定领域(如复杂算法、视频解码等)进一步加速数据处理。

　　§ 增强型英特尔 SpeedStep® 动态节能技术可进一步降低系统平均功耗。

　　§ 英特尔® 病毒防护技术4可以防止某些恶意“缓冲区溢出”的攻击。

　　§ 英特尔与软硬件厂商的强大价值链厂商，包括英特尔® 嵌入式与通讯联盟(英特尔® ECA)(intel.com/go/eca)的成员携手合作，可经济高效地攻克众多开发挑战并加快产品上市速度。

　　§ 通过为嵌入式客户提供更长的产品生命周期支持，可有效保护系统投资。

　　封装与工作温度方案

　　小封装尺寸方案

　　英特尔® 凌动™ 处理器 Z5xx 系列的小封装尺寸版本(焊球间距为 0.6 毫米)，可在超小型的 13x14 毫米封装内提供强大的性能功耗比。该版本适用于各种手持设备和小型嵌入式设计，例如用于零售业快速结帐的小型服务点设备，用于空间受限设施的游戏机，以及用于便携诊断的手持医疗设备。

　　相比前一代三芯片解决方案(超低压英特尔® 赛扬® M 处理器 423? 搭配移动式英特尔® 945GME 高速芯片组)，该款双芯片平台的总体占地空间减少了 80% 以上。请参见表 1。

　　大封装尺寸方案

　　大封装尺寸版本采用了 22x22 毫米封装(焊球间距为 1.0 毫米)，是没有空间限制和/或具有工业温度范围要求的设计的理想之选。除了突破性的电源管理能力之外，集成散热片更加适用于散热受限的无风扇应用。

　　由于汽车与运输行业要求组件符合 -40°-+85° C 的温度范围要求，因此工业温度方案对于许多家用和商用汽车的嵌入式车载信息娱乐系统设计至关重要。此外，该方案对于工业控制与自动化应用也十分重要，常见于具有复杂限散热环境的工厂中。

　　Small form factor Intel® Atom™ processor Z5xx platform   小型英特尔® 凌动™ 处理器 Z5xx 系列平台