2. nand读操作
在编译连接时，我们把上述 start.S 代码放在生成的二进制映像文件的最开始位置，因而也被烧写到 Nand Flash 的最起始位置，因而会被自动拷贝到 SteppingStone 里运行。start.S 要完成的任务之一，是把S-Boot的所有代码从Nand Flash拷贝到内存中，这里需要对NAND的读操作，因此对NAND的初始化和读操作要在第一阶段写好。
以开发板上使用的K9F1208为例，每个页(page)为512Byte数据和16Byte校验，每个块(Block)为32个页，即16KByte数据和512Byte校验。
Nand Flash只用8根线与CPU的DATA0-7连接，位宽为8位，不管是数据、地址或控制字都通过这8根线传递，如果读写数据的话每次只能传输一个字节数据。Nand Flash的操作通过NFCONF、NFCMD、NFADDR、NFDATA、NFSTAT和NFECC六个寄存器来完成。在S3C2440A数据手册第218页可以看到读写Nand Flash的操作时序：1. 通过NFCONF寄存器配置Nand Flash;2.写Nand Flash命令到NFCMD寄存器;3.写Nand Flash地址到 NFADDR寄存器;4. 在读写数据时，通过NFSTAT寄存器获得Nand Flash的状态信息。应该在读操作前或写操作后检查R/nB信号(Ready/Busy信号)。
初始化NAND Flash：S3C2440的NFCONF寄存器用来设置时序参数TACLS、TWRPH0、TWRPH1，设置数据位宽;还有一些只读位。TACLS、 TWRPH0、TWRPH1这三个参数控制的是Nand Flash信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的时序关系。
注意，寄存器值转换成实际的时钟周期值时，TACLS不需加1，而TWRPH0和TWRPH1需要加1。比如NFCONF寄存器中设置 TACLS=1，TWRPH0=3，TWRPH1=0，意思是时序图中 TACLS=1个HCLK时钟，TWRPH0=4个HCLK时钟，TWRPH1=1个HCLK时钟。
{
//时间参数设为:TACLS=0 TWRPH0=3 TWRPH1=0
NFCONF = 0x300;
/* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选 */
NFCONT = (1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
/* 复位NAND Flash */
NFCONT &= ~(1<<1); //发出片选信号
NFCMMD = 0xFF; //复位命令
s3c2440_wait_idle();//循环查询NFSTAT位0，直到它等于1
NFCONT |= 0x2; //取消片选信号
}
读操作：读操作也是以页(512Byte)为单位进行的。在初始上电时，器件进入缺省的“读方式1模式”。在这一模式下，页读操作通过将0x00写入指令寄存器，接着写入3个地址(1个列地址和2个行地址)来启动。一旦页读指令被器件锁存，下面的页读操作就不需要再重复写入页读指令了。写入页读指令和地址后，处理器可以通过对信号线R//B的分析来判断页读操作是否完成。如果信号为低电平，表示器件正忙;如果信号为高电平，表示器件内部操作完成，要读取的数据被送入了数据寄存器。外部控制器可以再以50ns为周期的连续/RE脉冲信号的控制下，从IO口依次读出数据。连续页读操作中，输出的数据是从指定的列地址开始，直到该页最后一个列地址的数据为止。
{
NFCMMD = 0; //发出READ0命令
s3c2440_write_addr(i); //Write Address
s3c2440_wait_idle(); //循环查询NFSTAT位0，直到它等于1
for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++)
{
*buf = (unsigned char)NFDATA;
buf++;
}
}
缺点：没有使用ECC校验和纠错;没有使用坏块检查;
