【IT168 资讯】

    IBM于日前对外透露,该公司已经成功通过新一代的32nmsilicon-on-insulator(SOI)生产出了目前业界体积最小、密度最高,同时速度也是最快的动态内存产品。这项技术的推出将可以有效提升服务器到消费类电子产品的速度、节能性能以及稳定性。

    IBM半导体研究与发展中心副总裁GaryPatton表示:"我们正在使用的这个32nm工艺,属于IBM公司的第七代SOI技术,将会为客户在性能以及功耗方面带来极大的好处。"

    据了解,IBM的这个SOI技术将可以提升30%的性能,同时功耗将会下降40%。IBM表示此次在该测试芯片中使用的嵌入式dynamicrandomaccessmemory(eDRAM)技术使用了业界体积是小的内存芯片,其密度、速度以及容量要优于基于32nm和22nm技术的传统randomaccessmemory(SRAM)芯片,并且可以与基于15nm技术的传统randomaccessmemory(SRAM)产品相比拟。

    IBM的eDRAM芯片密度是当前已经推出的22nmembeddedSRAM芯片的2倍,这其中也包括IBM于2008年8月宣布的世界最小的22nm内存芯片,与当前普遍的32nm嵌入式SRAM芯片相比则达到了4倍之多。更高的存储密度则可以让产品本身更小同时效率更高,从而可以带来系统性能的提升。

    IBM基于32nmSOI技术的eDRAM产品是截止目前为止速度最快的嵌入式内存,其延迟以及周期时间将不到2ns。另外IBMeDRAM的待机功耗只有标准功耗的1/4,从而与相似的SRAM产品相比要更节能、更稳定。

    嵌入式将会是多核心处理器以及其合整合集成电路的关键,而这款新型产品将会在世界范围内的商务以及其他领域得到广泛应用。比如通过这项技术将可以带来更高性能的服务器、打印机、存储及网络应用等。在移动及游戏领域,也可以带来更小尺寸的产品,同时功耗以及价格也会更低。